구성된 layer를 형성하게 한다 (예 : InCl3 + Citric Acid complex의 경우 NaBH4 용액으로 처리)
그 후 산화물박막을 원하는 경우 Oxidation과정을 거친다. (주로 공기중에서 자연적으로 산화됨) 마지막으로, Calcination (열처리)를 거치면 안쪽의 CNT 및 polyelectrolytes는 분해되고, 금속산화물나노튜브를 얻을 수 있다.
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
박막제조기술을 응용하여 제조한 태양전지
나노와이어 어레이
- 박막 태양전지의 성능 향상 : 알루미늄 산화물 기질 속에 삽입되거나 독립적으로 서있는 CdS 나노와이어구조를 일반적으로 사용되는 CdS 윈도우층 대신 사용
*접합면/광학 면적 비율의 감소→높은 개방회로전압을 만들어내 헤테로
Ⅰ. 개요
초전도체의 특성은 우리에게 많은 과제를 남기고 있지만 이를 이용하는데 있어서는 제한적이지만 가능한 응용분야에서 얼마나 유용한가를 충분히 이해할 수 있게 되었다. 따라서 이런 미개척 분야에 대한 도전이 필요하다고할 수 있다. 현재 국내의 초전도체 연구개발현황은 고온초전도체
박막은 In2O3에 Sn을 10% 정도 포함한 n-type 반도체 재료로서 다른 투명 박막에 비하여 Sn의 첨가로 인한 매우 낮은 전기저항과 안정성 때문에 사용되어 지고 있다. 비저항이 1 × 10-3Ώ/cm이하, 면 저항이 103Ώ/sq 이하로 전기전도성이 우수하다. 그리고 ITO가 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래
C-V그래프의 예상되는 결과를 살펴보기 위해 capacitance를 구하는 식을 살펴보면 다음과 같다.
(k=유전상수, A= 도체판의 단면적, d=절연체의 두께)
Capacitor의 내부를 살펴보면 대전된 도체판에 의해 두 도체판사이의 절연체에 전하가 유도된다. 이 유도된 전하는 절연체의 유전율(permitivity)를 결정하며 모든
2. 박막 태양전지
실리콘 대신 유리와 같은 값싼 기판 위에 박막 형태의 태양 전지를 증착시킴으로써 전기를 생산하는 기술. 태양 전지 시장은 실리콘(Si)을 소재로 해 기술적 흐름을 주도하고 있지만, 최근 LCD 박막 기술 발달로 박막 태양 전지 개발이 이루어지고 있다. 시장의 80%이상을 차지하는 결정
C-V그래프의 예상되는 결과를 살펴보기 위해 capacitance를 구하는 식을 살펴보면 다음과 같다.
(k=유전상수, A= 도체판의 단면적, d=절연체의 두께)
Capacitor의 내부를 살펴보면 대전된 도체판에 의해 두 도체판사이의 절연체에 전하가 유도된다. 이 유도된 전하는 절연체의 유전율(permitivity)를 결정하며 모든
C-V그래프의 예상되는 결과를 살펴보기 위해 capacitance를 구하는 식을 살펴보면 다음과 같다.
(k=유전상수, A= 도체판의 단면적, d=절연체의 두께)
Capacitor의 내부를 살펴보면 대전된 도체판에 의해 두 도체판사이의 절연체에 전하가 유도된다. 이 유도된 전하는 절연체의 유전율(permitivity)를 결정하며 모든